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基于狭缝波导的硅基热无关阵列波导光栅

摘要

本发明公开了一种基于狭缝波导的硅基热无关阵列波导光栅。整个器件可分为输入/输出波导、输入/输出平板波导和阵列波导三部分。本发明引入了狭缝波导结构,用于解决阵列波导光栅的中心波长随温度变化而产生漂移的问题。通过使用在狭缝处填入具有负热光系数的聚合物材料的狭缝波导作为阵列波导,使阵列波导区对温度不敏感。为了提高硅光子线与平板波导的耦合效率,在输入波导与输入平板波导耦合处、输入平板波导与阵列波导耦合处、阵列波导与输出平板波导耦合处以及输出平板波导与输出波导耦合处均采用了锥形渐变波导结构。整个器件尺寸小,结构紧凑,兼容于CMOS加工工艺,为波分复用/解复用的单片集成的实现提供了一种新的途径。

著录项

  • 公开/公告号CN101308235B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-08-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN200810063048.1

  • 申请日2008-07-08

  • 分类号

  • 代理机构杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人林怀禹

  • 地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-08-27

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02B 6/34 授权公告日:20100804 终止日期:20130708 申请日:20080708

    专利权的终止

  • 2010-08-04

    授权

    授权

  • 2009-01-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-11-19

    公开

    公开

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