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消除PECVD膜的第一晶片效应

摘要

本发明大体上提供了用于消除等离子体增强化学气相沉积(PECVD)中“第一晶片效应”的装置和方法。本发明的一种实施例提供了用于在室空闲了一段时间之后使室做好准备的方法。该方法包括在清洁步骤之后,根据空闲时间长度调整进行干燥步骤和加热步骤。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-07-22

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/513 授权公告日:20100728 终止日期:20140605 申请日:20070605

    专利权的终止

  • 2010-07-28

    授权

    授权

  • 2008-02-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-12-26

    公开

    公开

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