实现表面等离子体结构成形的方法

摘要

本发明公开了一种实现表面等离子体结构成形的方法。步骤为：首先利用湿法腐蚀各向同性和侧向钻蚀的特点，减小掩蔽层下方微米级结构的特征线宽，同时形成一定的阴影区；然后在湿法腐蚀后的结构表面热蒸镀金属膜层，并去除掩蔽层得到线宽和周期都减小的微纳结构；在此基础上，采用模压复制以及干法刻蚀工艺将该微结构转移至另一膜层表面；重复进行上述步骤可制作出纳米级的结构。该方法可成形亚微米甚至纳米级结构；该成形方法不需要电子束、离子束以及AFM等昂贵的设备。采用传统的微米级加工设备，通过多次湿法腐蚀、重复压印即可制作各种随机的大面积微纳结构。为实用化纳米结构的制作提供了途径。