法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-15
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20100721 终止日期:20160126 申请日:20070126
专利权的终止
2016-08-03
专利权质押合同登记的注销 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20100721 登记号:2014990000234 出质人:北京太时芯光科技有限公司 质权人:北京中关村科技融资担保有限公司 解除日:20160705 申请日:20070126
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
2014-05-28
专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 登记号:2014990000234 登记生效日:20140404 出质人:北京太时芯光科技有限公司 质权人:北京中关村科技融资担保有限公司 发明名称:具有电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底结构的发光二极管 授权公告日:20100721 申请日:20070126
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
2010-07-21
授权
授权
2008-11-26
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20081024 申请日:20070126
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
2007-09-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-08-01
公开
公开
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机译: 具有的半导体组件由衬底,在衬底上生长的,具有至少一个窗口的掩模和贯穿窗口构成,该衬底在单晶半导体层上生长,现有的基本结构及其制造方法
机译: 具有高亮度的发光二极管包括后电极,半导体衬底,下套筒层,有源层,上套筒层,窗口层,接触件
机译: 集成电路装置包括具有安全区的集成电路衬底,在衬底上形成的窗口层,在衬底和窗口层之间形成的缓冲图案以及安全图案