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提高有机半导体载子迁移率的方法

摘要

一种提高有机半导体载子迁移率的方法,主要包括有下列步骤:形成栅极(Gate)于一基板上;形成一绝缘层(Insulator layer)于该基板及该栅极上;涂布聚酰亚胺(Polyimide)以形成一中间层(interlayer)于该绝缘层上;形成一主动层于该中间层上;以及,形成源极和漏极,其中,涂布聚酰亚胺以形成一中间层于该绝缘层上的方法可用旋涂法(Spin Coating)、喷墨印刷法(Inject Printing)、接触印刷法(Contact Printing)或等离子体蚀刻等等的方法完成。

著录项

  • 公开/公告号CN1741298B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-07-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 财团法人工业技术研究院;

    申请/专利号CN200410056826.6

  • 发明设计人 胡堂祥;何家充;黄良莹;林蔚伶;

    申请日2004-08-23

  • 分类号H01L51/40(20060101);H01L51/20(20060101);

  • 代理机构11139 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人孙皓晨

  • 地址 中国台湾

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-17

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/40 授权公告日:20100714 终止日期:20170823 申请日:20040823

    专利权的终止

  • 2010-07-14

    授权

    授权

  • 2010-07-14

    授权

    授权

  • 2006-04-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-04-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-03-01

    公开

    公开

  • 2006-03-01

    公开

    公开

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