具有改善的高频特性的VCSEL、半导体激光器件及光发送装置

摘要

本发明提供一种具有改善的高频特性的垂直腔面发射激光器、半导体激光器件及光发送装置。该垂直腔面发射激光器包括：基板；形成在所述基板上的第一导电类型的第一半导体层；形成在所述第一半导体层上的有源层；形成在所述有源层上的第二导电类型的第二半导体层；形成在所述基板的主表面上的第一电极配线，所述第一电极配线与所述第一半导体层电连接；形成在所述基板的所述主表面上的第二电极配线，所述第二电极配线与所述第二半导体层电连接；以及形成在所述基板上的发光部，该发光部用于发射激光。所述第一电极配线与所述第一半导体层电连接的接触部以所述发光部为中心形成在等于或大于π/2弧度并且在π弧度之内的范围中。