公开/公告号CN1725394B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-04-07
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江大学;
申请/专利号CN200510050000.3
申请日2005-06-08
分类号H01F41/02(20060101);H01F1/057(20060101);H01F1/08(20060101);C22C38/00(20060101);B22F1/00(20060101);B22F3/00(20060101);
代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;
代理人张法高
地址 310027 浙江省杭州市浙大路38号
入库时间 2022-08-23 09:04:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-08-05
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01F 41/02 授权公告日:20100407 终止日期:20140608 申请日:20050608
专利权的终止
2014-07-02
专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01F 41/02 合同备案号:2014330000117 让与人:浙江大学 受让人:宁波兴德磁业有限公司 发明名称:晶界相中添加纳米氮化硅提高钕铁硼工作温度和耐蚀性方法 申请公布日:20060125 授权公告日:20100407 许可种类:独占许可 备案日期:20140430 申请日:20050608
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
2010-04-07
授权
授权
2006-03-22
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-01-25
公开
公开
机译: 改变钕铁硼基磁体的晶界的方法以及经该方法处理的具有经修饰的晶界的主体
机译: 具有晶界晶界的自增强氮化硅陶瓷及其制备方法
机译: 具有晶界晶界的自增强氮化硅陶瓷及其制备方法