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背侧光感测装置以及形成背侧光感测装置的方法

摘要

一种背侧光感测装置,包括半导体基底,具有上表面与阶梯状下表面,多个像素,形成于上表面;多个吸收深度,形成于上、下表面之间,由蚀刻该半导体基底形成一体结构,每个吸收深度根据每个像素排列;以及多个彩色滤光片,形成于半导体基底的下表面,吸收深度位于像素与彩色滤光片之间。一种形成背侧光感测装置的方法包括提供具有上表面与阶梯状下表面的半导体基底,在上表面形成第一像素、第二像素以及第三像素;在下表面形成第一厚度、第二厚度以及第三厚度,其中第一、二、三厚度分别位于第一、二、三像素之下。于半导体基底的下表面形成一第一滤光片、一第二滤光片以及一第三滤光片,其中第一、二、三滤光片分别位于上述第一、二、三厚度之下。

著录项

  • 公开/公告号CN100590879C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2010-02-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN200710102430.4

  • 发明设计人 许慈轩;谢元智;杨敦年;喻中一;

    申请日2007-05-08

  • 分类号H01L27/146(20060101);H01L21/82(20060101);

  • 代理机构72003 隆天国际知识产权代理有限公司;

  • 代理人邢雪红

  • 地址 中国台湾新竹市

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-02-17

    授权

    授权

  • 2008-01-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-11-14

    公开

    公开

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