可编程开关元件和将晶体管编程为可重新编程开关的方法

摘要

p沟道MOSFET器件(300)通过利用不正常空穴产生在存储器译码电路中用作可编程熔丝或反熔丝。施加足够大的负栅极偏置电压(314)，以使隧道电子获得足够的能量越过氧化物(312)的带隙能量。这使得在硅衬底中产生高能空穴-电子对。然后，空穴从衬底注入到氧化物中，并保持被捕获。导致p沟道MOSFET的阈值电压发生大的偏移。随后，通过施加正栅极偏置电压可以复位该器件。