法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-02-22
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):F27B 14/00 授权公告日:20100414 终止日期:20101214 申请日:20071214
专利权的终止
2010-04-14
授权
授权
2008-10-29
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-09-10
公开
公开
机译: 用于熔化固体形式的金属合金的装置包括冷熔坩埚,石墨或陶瓷坩埚以及用于将冷熔坩埚中的熔体转移到石墨或陶瓷坩埚中的单元
机译: 清洁例如用于处理半导体材料的坩埚,优选地为硅坩埚,包括例如加热,加热,加热,加热等。用半导体材料熔化受污染的坩埚,使半导体材料包括坩埚中的杂质
机译: 使用密封坩埚的氧化金属的还原熔化方法以及使用密封坩埚的氧化金属的还原熔化设备