包含双MONOS单元的存储装置及操作该存储装置的方法

摘要

本发明提供一种包含双MONOS单元的存储装置及操作该存储装置的方法，该存储装置包含有一字线，位于一薄氧化层上；一控制左栅极，位于覆盖于该薄氧化层中的一氮布植区上；一控制右栅极，位于覆盖于该薄氧化层中的另一个氮布植区上；一位线，位于该薄氧化层下的扩散区中；及传送栅极，设置在所述位线和控制栅极线之间；还包括对已选择的控制栅极线施加预设电压，且对相邻控制栅极线进行预充电的装置，和对该相邻控制栅极线进行升压至越控栅极电压的装置。该方法包括对已选择的控制栅极线施加预设电压，且对相邻控制栅极线进行预充电；和对该相邻控制栅极线进行升压至越控栅极电压。本发明减少地址译码设定时间及清除地址译码器额外电压供应的需求。