具有镶嵌式MIM型电容的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种用于制造具有镶嵌式金属/绝缘体/金属(MIM)型电容以及金属连线的半导体器件的方法，该方法包括：提供一个半导体器件；相继在半导体衬底上方形成第一层间绝缘薄膜和第二层间绝缘薄膜；同时在连线区域形成通孔和下层金属连线并在电容区域形成下部电极，其中，下部金属连线和下部电极与半导体器件电连接；相继在半导体衬底上方形成介电薄膜，第三层间绝缘薄膜，第四层间绝缘薄膜以及第五层间绝缘薄膜；并随后，同时，在与多个上部电极电连接的电容区域中形成多个上部电极，多个第二通孔以及多条第二上部金属连线，在与下部电极电连接的电容区域中形成多个第三通孔和多条第二上部金属连线，并在与下部金属连线电连接的连线区域中形成多个第四通孔和多条第四上部金属连线。