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红外辐射元件和使用其的气敏传感器

摘要

在红外辐射元件(A)中,绝热层(2)沿厚度方向形成于半导体衬底(1)的表面上,其比半导体衬底(1)具有充分小的热导率,加热层(3)形成于绝热层(2)上,其为薄层(平面)形式且比绝热层(2)具有更大的热导率和更大的电导率,用于通电的成对的焊盘(4)形成于发热层(3)上。半导体衬底(1)由硅衬底制成。绝热层(2)和加热层(3)由孔隙率彼此不同的多孔硅层形成,且加热层(3)具有小于绝热层(2)的孔隙率。通过将该红外辐射元件(A)作为气敏传感器的红外辐射源,有可能延长红外辐射源的寿命。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-21

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01K 1/04 授权公告日:20091125 终止日期:20151027 申请日:20041027

    专利权的终止

  • 2009-11-25

    授权

    授权

  • 2007-02-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-12-27

    公开

    公开

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