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一种二维非范德瓦尔斯晶体及其制备方法

摘要

本发明提供了一种二维非范德瓦尔斯晶体及其制备方法。该非二维非范德瓦尔斯晶体表面具有摩尔超晶格结构,所述摩尔超晶格结构具有由晶体学周期原子排列成六边形或近似六边形组合叠加而成的摩尔超晶格周期图案。本发明首次在二维非范德瓦耳斯晶体材料——二氧化钼表面制备摩尔超晶格结构的制备工艺。在其表面制备出不同扭转扭转错位角度的摩尔超晶格结构。二维非范德瓦尔斯晶体表面具有摩尔超晶格结构;其可以改变二维非范德瓦尔斯晶体表面的润湿性。

著录项

  • 公开/公告号CN113832547B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2023.03.31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川大学;

    申请/专利号CN202111076688.8

  • 发明设计人 黄青松;

    申请日2021.09.14

  • 分类号C30B29/68;C30B29/16;C30B1/12;C30B1/02;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号

  • 入库时间 2023-04-14 18:15:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-31

    授权

    发明专利权授予

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