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公开/公告号CN113832547B
专利类型发明专利
公开/公告日2023.03.31
原文格式PDF
申请/专利权人 四川大学;
申请/专利号CN202111076688.8
发明设计人 黄青松;
申请日2021.09.14
分类号C30B29/68;C30B29/16;C30B1/12;C30B1/02;
代理机构
代理人
地址 610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
入库时间 2023-04-14 18:15:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-31
授权
发明专利权授予
机译: 用于将二维范德瓦尔斯晶体拆卸成宏观单层的系统和方法,并将其重新组装成人造格子
机译: 在石墨烯上制备依他昔芬·范·德瓦尔斯的III-N化合物的晶体层的方法
机译: 从先前制备的纳米颗粒和范德瓦尔斯的化学裂解形成2D薄片,使用相同
机译:通过层2的逐层氧化制造的多个二维范德瓦尔斯的多种二维范德瓦氏的光致发光的增强的光致发光
机译:二维NBSe2-WSE2范德瓦尔斯的紫外波长依赖性光电性能,基于异质结的场效应晶体管
机译:二维范德瓦尔斯铟硒晶体的直接间接带隙交叉
机译:石墨烯/ H-BN范德瓦尔斯叠层结构纳米帕卡卡宫的转录堆方法工艺开发和晶体质量评价
机译:解放与补偿范妮·莱瓦尔德(Fanny Lewald)的《莫德尼斯·马尔琴(Modernes Marchen)》。
机译:III-氮化物的范德瓦尔斯及其应用
机译:二维范德瓦尔斯铟硒晶体直接电子带隙的证据
机译:范德瓦尔斯群中里德堡状态分子的能量学,动力学和反应