公开/公告号CN100567517C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-12-09
原文格式PDF
申请/专利权人 太原理工大学;
申请/专利号CN200710185331.7
申请日2007-12-01
分类号C21D1/78(20060101);C23F17/00(20060101);C23C10/28(20060101);C23C8/64(20060101);C21D1/18(20060101);
代理机构14101 太原市科瑞达专利代理有限公司;
代理人庞建英
地址 030024 山西省太原市迎泽西大街79号
入库时间 2022-08-23 09:03:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-01-30
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C21D 1/78 授权公告日:20091209 终止日期:20111201 申请日:20071201
专利权的终止
2010-05-26
著录事项变更 IPC(主分类):C21D 1/78 变更前: 变更后: 申请日:20071201
著录事项变更
2009-12-09
授权
授权
2008-07-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-05-14
公开
公开
机译: 清洁含钴材料表面的方法,在含钴材料上形成开口的方法,形成包括含铜导线的集成电路和含钴膜清洗液的半导体加工方法
机译: 清洁含钴材料表面的方法,在含钴材料上形成开口的方法,形成包括含铜导线的集成电路和含钴膜清洗液的半导体加工方法
机译: 清洁含钴材料表面的方法,在含钴材料上形成开口的方法,形成包括含铜导线的集成电路和含钴膜清洗液的半导体加工方法