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一种金属掺杂的聚合C60、二维聚合C60及制备方法

摘要

本发明涉及一种金属掺杂的聚合C60、二维聚合C60及制备方法,该金属掺杂的聚合C60具有单斜晶系晶体结构。本发明一实施方式的二维聚合C60具有大尺寸、高结晶性的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN114956053B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2023.03.21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院化学研究所;

    申请/专利号CN202210542986.X

  • 发明设计人 郑健;侯凌翔;崔雪萍;

    申请日2022.05.18

  • 分类号C01B32/156;C01B32/154;C01B32/152;

  • 代理机构北京天达知识产权代理事务所有限公司;

  • 代理人吴娅妮

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村北1街中国科学院化学研究所

  • 入库时间 2023-04-06 21:56:24

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