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一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路

摘要

本发明公开了一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路,该电路包括电压比较器电路和电流泄放电路。电压比较器电路包括PMOS管P1,P3和电阻R2,R3,用于检测和比较电压值;电流泄放电路包括NMOS管N1、N2、二极管D1和电阻R1,用于泄放静电脉冲和射频高压。本发明减小了输入节点寄生电容,避免了出现高频信号的延时效应,并避免了出现主保护管还没有工作而次保护管就已烧毁的情况,提高了电路的稳定性。此外,本发明不仅能实现ESD保护功能还能起到射频限压的作用,仅用一个电路就实现了两种功能,特别适合应用于无源RFID标签芯片。本发明在减少面积降低功耗的同时,还提升了ESD保护电路的保护性能,进一步提高了整个标签芯片的使用寿命。

著录项

  • 公开/公告号CN100573570C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-12-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN200710052018.6

  • 申请日2007-04-28

  • 分类号G06K19/073(20060101);H05F3/00(20060101);

  • 代理机构42201 华中科技大学专利中心;

  • 代理人曹葆青

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞瑜路1037号

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-16

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/60 授权公告日:20091223 终止日期:20160428 申请日:20070428

    专利权的终止

  • 2009-12-23

    授权

    授权

  • 2007-11-28

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-10-03

    公开

    公开

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