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半色调掩模、光掩模坯和半色调掩模的制造方法

摘要

本发明的课题在于提供一种能够兼顾图案细微化和多灰阶的半色调掩模。其解决手段在于在透明基板上具有:包括第一半透膜的第一半透过区域;包括上述第一半透膜与第二半透膜的叠层的第二半透过区域;透明区域;以及第一半透过区域与第二半透过区域邻接的区域,上述第一和第二半透过区域对曝光光的透过率分别为10~70[%]和1~8[%],第二半透过区域使曝光光的相位反转。其结果,在邻接的第一半透过区域与第二半透过区域的边界部分,曝光光的强度分布陡峭地变化,能够改善经曝光后的光致抗蚀剂图案的剖面形状。

著录项

  • 公开/公告号CN110023836B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022.12.20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社SK电子;

    申请/专利号CN201780070662.8

  • 发明设计人 美作昌宏;

    申请日2017.12.25

  • 分类号G03F1/00(2012.01);C23C14/06(2006.01);C23C14/08(2006.01);C23C14/14(2006.01);G03F1/32(2012.01);G03F7/40(2006.01);

  • 代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司 11322;

  • 代理人龙淳

  • 地址 日本京都府

  • 入库时间 2023-01-09 21:32:12

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