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公开/公告号CN113794453B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.12.02
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州电子科技大学;
申请/专利号CN202110925055.3
发明设计人 陈世昌;沈新程;徐魁文;赵鹏;赵文生;王高峰;
申请日2021.08.12
分类号H03F1/56;H03F3/195;H03F3/213;H03G3/30;
代理机构杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人朱亚冠
地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
入库时间 2022-12-29 02:03:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-02
授权
发明专利权授予
机译: MMIC功率放大器稳定性标准方法和MMIC功率放大器设计方法使用相同
机译: 利用有源偏置实现高效率的线性功率放大器及其方法
机译:饱和功率放大器实现高效率:具有最佳电压波形的饱和放大器的操作可实现最大效率
机译:mmWave AlGaN / GaN HEMT和功率放大器MMIC的实现
机译:适用于W-CDMA应用的温度和电源独立偏置电路和MMIC功率放大器实现
机译:用于5G应用的高效率紧凑级F GAN MMIC功率放大器
机译:氮化铝镓/氮化镓HEMT技术中的高线性度和高效率RF MMIC功率放大器。
机译:新型多种拭子方法可以在SARS-COV-2筛选中实现高效率而不会损失筛选完整人群的敏感性
机译:关于氮化镓技术的新部件研究。采用倒装芯片和mmIC技术的共源共栅单元宽带功率放大器的设计与实现。
机译:Ku-Band的高效率F类mmIC功率放大器