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一种表面耦合诱导电离技术及其对应的等离子体与等离子体器件

摘要

本发明公开了一种表面耦合诱导电离技术,包含以下任意一个步骤:(1)通过自由空间或波导将第一束电磁波馈入至材料上,励激起表面等离子体波;材料表面引入待电离的目标分子,通过控制相互作用,使目标分子的电子与材料上的表面等离子体激元发生耦合,诱导目标分子电离;(2)同步通过自由空间或波导,再将第二束及后续的电磁波馈入至材料表面上目标分子的电离区域,使电离后的目标分子吸收,提高目标分子的电离程度;(3)目标分子以体相等离子体的形式释放,实现表面耦合诱导电离。本发明还公开了一类等离子体器件。

著录项

  • 公开/公告号CN111479375B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022.12.02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高维等离子体源科技(孝感)有限公司;

    申请/专利号CN202010383599.7

  • 发明设计人 张麟德;

    申请日2020.05.08

  • 分类号H05H1/24;H05H1/46;

  • 代理机构深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙);

  • 代理人龙丹丹

  • 地址 432000 湖北省孝感市孝汉大道29号汉光光电产业园

  • 入库时间 2022-12-29 02:03:09

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