公开/公告号CN108416078B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.11.11
原文格式PDF
申请/专利号CN201810032450.7
申请日2018.01.12
分类号G06F30/3308;G06F119/08;
代理机构北京工信联合知识产权代理有限公司;
代理人郭一斐
地址 100031 北京市西城区西长安街86号
入库时间 2022-11-28 17:56:32
机译: 使用指示至少一种尖端到尖端的短路或泄漏,至少一种尖端到一侧的短路或泄漏以及至少一种倒角短路或泄漏的非接触电测量来处理半导体晶片的方法,其中这种测量从与各个尖端到尖端的短路,尖端到一侧的短路和倒角短路测试区域相关的非接触焊盘获得
机译: 使用指示至少一种尖端到尖端的短路或泄漏,至少一种尖端到一侧的短路或泄漏,以及至少一侧到另一侧的短路或泄漏的非接触电测量来处理半导体晶片的方法,其中使用具有带束偏转功能的带电粒子束检查器从带尖端到尖端短,尖端到侧面短测试和侧面到侧面短测试区域的单元中获得此类测量结果阶段
机译: 使用指示至少一种尖端到尖端的短路或泄漏,至少一种通孔倒角或泄漏,以及至少一种拐角短路或泄漏的非接触电测量来处理半导体晶片的方法,其中获得了这些测量值使用带束偏转的带电粒子束检查器从具有相应的尖端到尖端短,通孔倒角短和拐角短测试区域的单元中进行位移