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公开/公告号CN113066931B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.10.18
原文格式PDF
申请/专利权人 北京邮电大学;
申请/专利号CN202110320139.4
发明设计人 唐为华;晏祖勇;李培刚;
申请日2021.03.25
分类号H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;
代理机构北京清诚知识产权代理有限公司;
代理人喻颖
地址 100088 北京市海淀区西土城路10号
入库时间 2022-11-28 17:51:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-18
授权
发明专利权授予
机译: (GaMe)2 O 3三元合金材料,制备方法及在日盲紫外光探测器中的应用
机译: AlGaN UniPolar载体太阳盲紫外线探测器和制备方法
机译: (游戏)2O3三元合金材料,其在太阳盲紫外光探测器的制备方法和应用
机译:掺镁p型β-Ga2O3薄膜用于日盲紫外光电探测器
机译:基于带有或不带有齐纳二极管的四端子结构的β-Ga2O3日盲型深紫外光电探测器
机译:具有增强的光电响应性的β-Ga2O3/ p-Si异质结太阳盲紫外光电探测器
机译:基于在退火c面蓝宝石衬底上生长的β-Ga2O3薄膜的日盲深紫外光电探测器
机译:薄膜A-Si的光谱椭圆形研究:H / NC-Si:H MicroMorph太阳能电池制造在P-I-N超级型配置
机译:基于非晶态掺杂Ga2O3薄膜的准增能隧穿效应的快速响应日盲光电探测器
机译:β-Ga2O3太阳盲深紫外光电探测器,基于四端子结构,带或不带齐纳二极管
机译:新型布拉格反射器增强型紫外线太阳能盲光伏探测器