一种基于甲胺基氯化铅/氧化镓异质结的自供能UVA波段紫外光电探测器及其制备方法

摘要

一种基于甲胺基氯化铅/氧化镓异质结的自供能UVA波段紫外光电探测器及其制备方法。本发明属于基于半导体材料的紫外光电探测器领域。本发明的目的在于解决现有CH3NH3PbCl3单晶材料制备过程复杂、成本高以及溶液旋涂法制备的CH3NH3PbCl3多晶薄膜光电性能较差的技术问题。本发明的光电探测器包括由下至上依次设置的FTO衬底、Ga2O3种子层、异质结层、空穴传输层Spiro‑OMeTAD和电极层；所述异质结层由α‑Ga2O3纳米柱阵列和弥合在α‑Ga2O3纳米柱阵列缝隙中的CH3NH3PbCl3组成。方法：一、在FTO衬底上旋涂Ga2O3种子层；二、①水热法制备α‑Ga2O3纳米柱阵列；②一步反溶剂旋涂法制备CH3NH3PbCl3；三、旋涂空穴传输层Spiro‑OMeTAD；四、蒸镀银电极，得到自供能UVA波段紫外光电探测器。本发明的光电探测器响应度高，响应时间短，响应速度高。