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形成非易失性半导体内存组件的方法

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本发明涉及一种形成非挥发易失性半导体内存组件的方法，该方法包括以连续或非连续的步骤在一基材衬底(12)上形成电荷捕捉俘获介电质(14)，该基材衬底(12)具有一中心区域(16)与一周围区域(18)；移除该周围区域(18)中至少一部分的电荷捕捉俘获介电质(14)；在该周围区域(18)中形成栅极介电质(22)；在该中心区域(16)中形成埋置位线(26)；以及在该中心区域(16)与该周围区域(18)中形成栅极(28)。

著录项

公开/公告号CN100530600C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-08-19

原文格式PDF
申请/专利权人斯班逊有限公司;
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申请/专利号CN01819608.X
发明设计人 M·T·拉姆斯贝;J·Y·杨;H·舍瑞瓦;M·A·范巴斯柯克;D·M·罗杰斯;R·山卡瓦利;J·王;N·德尔哈科比安;Y·吴;
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申请日2001-08-07
分类号
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:03:11

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-08-28

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8246 授权公告日:20090819 终止日期:20170807 申请日:20010807

专利权的终止
2016-05-04

专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/8246 登记生效日:20160411 变更前: 变更后: 申请日:20010807

专利申请权、专利权的转移
2016-05-04

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8246 登记生效日:20160411 变更前: 变更后: 申请日:20010807

专利申请权、专利权的转移
2016-05-04

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8246 登记生效日:20160411 变更前: 变更后: 申请日:20010807

专利申请权、专利权的转移
2009-08-19

授权

授权
2009-08-19

授权

授权
2009-08-19

授权

授权
2004-09-01

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 登记生效日:20040730 申请日:20010807

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2004-09-01

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 登记生效日:20040730 申请日:20010807

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2004-09-01

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 登记生效日:20040730 申请日:20010807

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2004-09-01

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 登记生效日:20040730 申请日:20010807

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2004-09-01

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20040730 申请日:20010807

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2004-09-01

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20040730 申请日:20010807

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2004-09-01

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20040730 申请日:20010807

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2004-09-01

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20040730 申请日:20010807

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2004-09-01

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20040730 申请日:20010807

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2004-09-01

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前:

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2004-05-05

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-05-05

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-05-05

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-02-25

公开

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2004-02-25

公开

公开
2004-02-25

公开

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