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公开/公告号CN112531073B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.09.20
原文格式PDF
申请/专利权人 北京工业大学;
申请/专利号CN202011033951.0
发明设计人 谢红云;刘先程;向洋;郭敏;沙印;张万荣;
申请日2020.09.27
分类号H01L31/18;H01L31/0232;H01L31/11;
代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;
代理人刘萍
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
入库时间 2022-09-26 23:21:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-20
授权
发明专利权授予
机译: 通过选择性生长制造Ge或SiGe / Si波导或光子晶体结构的方法
机译: 通过选择性生长制造光子晶体结构或SiGe / Si或Ge波导的方法
机译: 通过选择性生长制造GE或SIGE / SI波导或光子晶体结构的方法
机译:850 nm SiGe / Si HPT,具有最大4.12 GHz的光学跃迁频率和0.805A / W的响应度
机译:用于Si基光调制器的Si / SiGe / Si光子线波导的制作和传输损耗评估
机译:FD-SOI技术的Si和SiGe表面制备的热预算低
机译:SOI上的新型双带隙SiC-on-Si p-发射极,SiGe n基横向肖特基金属集电极(PNM)HBT,具有减小的集电极-发射极失调电压
机译:一种新的锡烷和一种新的基于自由基的杂环制备方法。
机译:高压火花等离子体烧结(HP SPS):一种有前途和可靠的制备Ti-Al-Si合金的方法
机译:法向入射p型SiGe / Si量子阱红外光电探测器的设计与制造
机译:单自对准刻蚀工艺制备三维硅基光子晶体结构。