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一种制备高体积分数碳化硅颗粒增强铜基复合材料的方法

摘要

一种制备高体积分数碳化硅颗粒增强铜基复合材料的方法,属金属基复合材料领域。工艺为:首先一定粒度分布的SiC粉末混合均匀与多聚物组元石蜡基粘结剂以57~68体积%装载量在双辊挤压机上进行混炼,得到均匀的喂料;随后在粉末注射成形机上以150~175℃的注射温度、75~125MPa的注射压力注射成形,得到所需形状的坯体,经过“溶脱+热脱”脱脂后于600~1120℃预烧结得到多孔SiC预成形坯。接着在1400℃~1450℃于真空气氛下采用无压浸渗将铜合金渗入多孔SiC预成形坯。从而获得高体积分数的SiCp/Cu复合材料。本发明能够制备形状复杂的薄壁SiCp/Cu复合材料零部件,增强相的含量高达57~67体积%,复合材料的致密度高,显微组织中增强相分布均匀,而且还具有材料利用率高、生产效率高,成本低的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN100554456C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-10-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京科技大学;

    申请/专利号CN200710177026.3

  • 申请日2007-11-08

  • 分类号C22C1/00(20060101);B22D23/04(20060101);C22C9/01(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-10-28

    授权

    授权

  • 2008-06-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-04-09

    公开

    公开

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