具有npn和pnp双极晶体管的集成电路装置及相应的制造方法

摘要

在各种情况下公开了一种集成电路装置(100)，其包括npn晶体管(102)和pnp晶体管(104)。在pnp晶体管包括确定pnp晶体管的发射极连接区(120)的宽度的断层(142)且连接区(120)的导电材料与该断层(142)横向重叠时，则制造出具有显著电性能的晶体管。