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硅供应部以及包括该硅供应部的用于生长硅单晶锭的装置和方法

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摘要

实施例提供了一种硅供应部，包括：硅供应室；保持件，该保持件设置在硅供应室的下区域的内壁上；管，该管由硅供应室内的第一线缆垂直地提升；引导件，该引导件设置在管的外部，并与保持件垂直地重叠；以及止挡件，该止挡件由第二线缆垂直地提升和插入到管的下部中，以打开和关闭管的下部。

公开/公告号CN111699286B

专利类型发明专利
公开/公告日2022.08.30

原文格式PDF
申请/专利权人爱思开矽得荣株式会社;
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申请/专利号CN201880088921.4
发明设计人孔晶铉;尹诚焄;李浩俊;
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申请日2018.12.05
分类号C30B15/02(2006.01);C30B15/32(2006.01);C30B15/10(2006.01);C30B15/14(2006.01);C30B15/30(2006.01);C30B29/06(2006.01);
代理机构上海专利商标事务所有限公司 31100;
代理人朱立鸣
地址韩国庆尚北道
入库时间 2022-09-26 23:16:47

1. 硅供应部以及包括该硅供应部的用于生长硅单晶锭的装置和方法 [P] . 中国专利： CN111699286A . 2020-09-22
2. 用于硅晶锭生长的换热器、硅晶锭的生长炉和制备硅晶锭的方法 [P] . 中国专利： CN109537045A . 2019-03-29
3. WATER-COOLED TUBE FOR COOLING A SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT CAPABLE OF IMPROVING THE GROWTH SPEED OF THE INGOT PER HOUR AND A SILICON SINGLE CRYSTAL GROWTH DEVICE INCLUDING THE SAME [P] . 韩国专利： KR20130109596A . 2013-10-08

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4. SILICON SUPPLY PART, AND DEVICE AND METHOD FOR GROWING SILICON MONOCRYSTALLINE INGOT COMPRISING SAME [P] . 美国专利： US2020232116A1 . 2020-07-23

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5. SILICON SUPPLY PART, AND DEVICE AND METHOD FOR GROWING SILICON MONOCRYSTALLINE INGOT COMPRISING SAME [P] . 世界知识产权组织专利： WO2019156323A1 . 2019-08-15

机译：硅供应零件，以及生长包含该硅供应商的硅单晶锭的装置和方法