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具有沿第一间距的结构与沿不同于第一间距的第二间距的结构耦接的集成组件及其形成方法

摘要

本申请涉及具有沿第一间距的结构与沿不同于所述第一间距的第二间距的结构耦接的集成组件,和形成集成组件的方法。一些实施例包含一种形成集成组件的方法。导电线被形成为沿第一方向延伸,并且彼此间隔第一间距。保护旋钮形成于所述导电线的上方并以行布置。在每一行内的所述保护旋钮沿大于所述第一间距的第二间距间隔。所述保护旋钮保护所述导电线的区域而使所述导电线的其它区域未受保护。使所述未受保护的区域凹陷以使得所述保护区域变成高区域且所述未受保护的区域变成矮区域。去除所述保护旋钮。使导电结构形成于所述导电线的上方。所述导电结构沿所述第二间距间隔。所述导电线中的每一者唯一地耦接到所述导电结构中的仅一者。一些实施例包含集成组件。

著录项

  • 公开/公告号CN109427740B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022.08.30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN201810985871.1

  • 发明设计人 沃纳·军林;

    申请日2018.08.28

  • 分类号H01L23/528(2006.01);H01L21/768(2006.01);

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287;

  • 代理人王龙

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2022-09-26 23:16:47

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