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具有小线间距和小端-端间隔的半导体器件结构的形成方法

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摘要

本发明的实施例提供一种用于形成半导体器件结构的方法。方法包括提供衬底并且在衬底上形成底层、中间层和顶层。方法还包括：图案化顶层，以形成图案化的顶层，并且通过包括等离子体工艺的图案化工艺来图案化中间层，以形成图案化的中间层。通过使用包括氢气(H

1. 具有小线间距和小端-端间隔的半导体器件结构的形成方法 [P] . 中国专利： CN105977200B . 2019.07.05
2. 具有小线间距和小端-端间隔的半导体器件结构的形成方法 [P] . 中国专利： CN105977200A . 2016-09-28
3. Method for forming semiconductor device structure with fine line pitch and fine end-to-end space [P] . 美国专利： US9735028B2 . 2017-08-15

机译：具有细的线间距和细的端到端间隔的半导体器件结构的形成方法
4. Method for Forming Semiconductor Device Structure with Fine Line Pitch and Fine End-To-End Space [P] . 美国专利： US2020303204A1 . 2020-09-24

机译：具有精细线间距和精细端到端空间的半导体器件结构的形成方法
5. Method for Forming Semiconductor Device Structure with Fine Line Pitch and Fine End-To-End Space [P] . 美国专利： US2017365488A1 . 2017-12-21

机译：具有精细线间距和精细端到端空间的半导体器件结构的形成方法