一种忆阻耦合电容效应高性能忆阻器的制备方法

摘要

本发明公开了一种忆阻耦合电容效应高性能忆阻器的制备方法，具体为：在室温环境下通过将等摩尔比的硫酸铜溶液和硫代硫酸钠溶液按照1:2.6‑3.0体积比例混合，得到一个亮绿色的混合溶液，然后把混合溶液倒入放有下电极基底片的容器中；将混合溶液在室温下静止放置数天，然后从混合溶液中取出放入的下电极基底片，即在下电极基底片上沉积出硫化铜薄膜；将下电极基底片取出、烘干；将银胶滴涂于烘干好的硫化铜薄膜表面作为上电极，最终形成一个具有三明治结构的忆阻器件。本发明制备过程简单可行、成本低，制成的器件结构简单、性能优异、具有明显的忆阻耦合电容效应，为开发新型多功能电子器件奠定了良好基础。