首页> 中国专利> 用于发光装置光谱红移的应变诱导纳米结构

用于发光装置光谱红移的应变诱导纳米结构

摘要

本发明涉及一种构建于半导体发光装置上的纳米结构,该纳米结构在有源区中诱导应变。有源装置包含至少一个量子异质结构,其中应变改变了量子约束斯托克效应的程度,并且由此改变了发光波长。通过混合应变驰豫和应变诱导效应使发光的光谱得以拓宽,从而提供了多色发光。

著录项

  • 公开/公告号CN110447111B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-07-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 港大科桥有限公司;

    申请/专利号CN201880017057.9

  • 发明设计人 蔡凯威;傅惠源;

    申请日2018-03-12

  • 分类号H01L33/00(2006.01);H01L33/32(2006.01);

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所 11105;北京市柳沈律师事务所 11105;

  • 代理人邹宗亮;牟科

  • 地址 中国香港数码港道100号数码港4座405A室

  • 入库时间 2022-09-06 00:36:09

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号