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公开/公告号CN110447111B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-29
原文格式PDF
申请/专利权人 港大科桥有限公司;
申请/专利号CN201880017057.9
发明设计人 蔡凯威;傅惠源;
申请日2018-03-12
分类号H01L33/00(2006.01);H01L33/32(2006.01);
代理机构北京市柳沈律师事务所 11105;北京市柳沈律师事务所 11105;
代理人邹宗亮;牟科
地址 中国香港数码港道100号数码港4座405A室
入库时间 2022-09-06 00:36:09
机译: 用于光发光器件的光谱红移的应变诱导纳米结构
机译: 发光器件光谱红移的应变诱导纳米结构
机译:ZnTe纳米结构的大光致发光红移:孪生结构的影响
机译:聚(N-乙烯基咔唑)纳米粒子的增宽和红移光致发光光谱发射
机译:纳米Y_2O_3:Eu〜(3+)电荷转移激发光谱的红移研究
机译:应变诱导的光致发光红移InGaAs / GaAs Microtubes
机译:放射光谱学用于寻找高度红移的原银河结构。
机译:用于体内成像的高级生物发光系统具有更亮和红移发光
机译:表面状态对GaN纳米结构中大光致发光红移的影响
机译:X射线二元中的中子星爆发光谱中的引力红移吸收线EXO 0748-676