集成工艺调制一种利用HDP－CVD间隙填充的新型方法

摘要

本发明公开了一种用于在设置于工艺腔室内的衬底上沉积氧化硅薄膜的工艺。将包括卤素源、流动气体、硅源和氧化气体的工艺气体流入工艺腔室中。具有离子密度至少为10¹¹离子/厘米³的等离子体由上述工艺气体形成。在衬底上形成具有卤素浓度低于1.0%的氧化硅薄膜。利用同时具有沉积和溅射成分的工艺的等离子体沉积氧化硅薄膜。进入腔室的卤素源的流速和进入腔室的硅源流速之比基本为0.5和3.0之间。