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公开/公告号CN111864093B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-19
原文格式PDF
申请/专利权人 吉林奥来德光电材料股份有限公司;
申请/专利号CN202010684212.1
发明设计人 王铁;邱镇;姚明明;王伟哲;刘长伟;杨勇;马晓宇;
申请日2020-07-15
分类号H01L51/50;H01L51/54;
代理机构北京专赢专利代理有限公司;
代理人于刚
地址 130000 吉林省长春市高新开发区硅谷新城生产力大厦A座19层
入库时间 2022-09-06 00:36:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-19
授权
发明专利权授予
机译: 用于电子照相光电导体单元的电荷传输层的涂布液的粘合剂组合物,包括该电荷传输层的电荷传输层的涂布液和包括该电荷传输层的电子照相光电导体的涂布液
机译: 电子传输层用组合物,其制造的电子传输层以及包括该电子传输层的有机电致发光器件
机译:基于无机金属氧化物空穴传输层和电子传输层的高效稳定的混合有机发光器件
机译:低温旋涂TiO2电子传输层和光吸收层在低温旋涂TiO2电子传输层与光吸收膜的物理性质的影响和光电器滞后的影响
机译:空穴传输层,电子给体-受体二元体和电子传输层的多层堆叠中的光电流产生和电荷复合
机译:通过在空穴传输层和电子传输层中插入超薄空穴阻挡层来改善有机发光器件的性能
机译:二硫化钼的二硫化物用于散装异质结聚合物太阳能电池的电子传输层
机译:基于PTB7-Th的11%有机光伏器件:PC71BM光敏层和辐照辅助ZnO电子传输层
机译:moOx和V2Ox通过正常和倒置有机光电器件中的功能化嵌入作为空穴和电子传输层
机译:用于光电子材料和器件研究的III-锑化物/氮化物基半导体:LDRD 26518最终报告。