光诱导绝缘体表面金属化方法

摘要

本发明属于化学镀技术领域，特别属于光诱导绝缘体表面金属化方法。将覆有半导体薄膜的绝缘体镀件，直接浸入镀液中，同时加能使半导体薄膜在光照下能迅速发生电荷分离的可见光或紫外光照，光照强度为10～80毫瓦/平方厘米，照射时间为10～30秒。镀件上可预先带有图案，或在镀件表面加覆光栏，在镀液中直接光诱导金属化，形成图案。本发明无需传统的表面粗化、敏化和活化预处理，工艺简单，操作方便，成本低，安全系数高，成膜附着力强。