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一种降低区熔POLY背封单抛片边缘晶孔的加工工艺

摘要

本发明提供了一种降低区熔POLY背封单抛片边缘晶孔的加工工艺,对酸腐片依次进行POLY背封、减薄和抛光,并对减薄后的清洗工序进行了优化匹配。本发明将减薄工序调整到POLY背封工序后,可将POLY背封过程产生的晶孔现象大大降低,本发明与现有工艺相比,加工步骤一样,加工成本未增加,大大提高了成品合格率,具有很高的实际应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN110718457B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-07-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津中环领先材料技术有限公司;

    申请/专利号CN201910917213.3

  • 申请日2019-09-26

  • 分类号H01L21/304(2006.01);H01L21/56(2006.01);H01L21/02(2006.01);

  • 代理机构天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211;

  • 代理人戴文仪

  • 地址 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区(环外)海泰东路12号内

  • 入库时间 2022-08-23 13:59:27

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