具有其温度依赖性被补偿的电流的非易失性存储器单元及其数据读取方法

摘要

非易失性半导体存储器器件包括存储器单元阵列(21)，读电路(22，23，24，25，26，27，和33)，编程电路(22，23，24，25，26和27)，读电压生成电路(29)，存储器电路(34)，和切换电路(35)。读电压生成电路(29)生成和提供读电压到读电路。存储器电路(34)存储用来改变存储器单元阵列(21)中的存储器单元的温度特性的信息。切换电路(35)根据被存储在存储器电路(34)中的信息，改变由读电压生成电路(29)生成的读电压的温度依赖性。