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原子层沉积的电介质层

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一种原子层沉积的电介质层和制备这种电介质层的方法制造了一种具有比利用SiO₂获得的等效氧化物厚度薄的可靠的电介质层。通过原子层沉积在衬底表面上沉积铪金属层和通过原子层沉积在该铪金属层上沉积氧化铪层，形成了基本上没有氧化硅的氧化铪电介质层。包含原子层沉积的氧化铪的电介质层是热力学稳定的，使得该氧化铪在处理期间具有与硅衬底或其它结构最小的反应。

著录项

公开/公告号CN100530562C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-08-19

原文格式PDF
申请/专利权人微米技术有限公司;
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申请/专利号CN200480012128.4
发明设计人 K·Y·阿恩;L·福尔布斯;
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申请日2004-03-04
分类号H01L21/316(20060101);H01L21/314(20060101);H01L29/51(20060101);C23C16/40(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/8242(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人王岳;梁永
地址美国爱达荷州
入库时间 2022-08-23 09:02:53

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-03-27

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/316 授权公告日:20090819 终止日期:20170304 申请日:20040304

专利权的终止
2009-08-19

授权

授权
2009-08-19

授权

授权
2006-08-02

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-08-02

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-06-07

公开

公开
2006-06-07

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