一种超高荧光量子产率的碳量子点、碳量子点/PVA荧光膜及其制备方法和应用

摘要

本发明属于发光材料技术领域，具体涉及一种碳量子点、碳量子点/PVA荧光膜及其制备方法和应用。一种超高荧光量子产率的碳量子点，所述碳量子点以罗丹明B为碳源制备而成。本发明的超高荧光量子产率的碳量子点的制备方法，包括：将罗丹明B溶于反应溶液中，混合后置于反应釜中，于180℃～200℃下反应8～12h，冷却至室温后，取出反应物；将反应物pH调节至中性，然后透析，旋蒸，冷冻干燥，即得到碳量子点的固体粉末。本发明的有益效果为：本发明提供的超高荧光量子产率的碳量子点是绿光发射，具有良好的水分散性，超高的荧光量子产率，在pH为6.7的水中为84.96～85.37%，pH为9.0时为95.84～96.55%。该碳量子点可以用于制备环境友好的封装材料，封装白光LED。