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公开/公告号CN113314940B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-06-03
原文格式PDF
申请/专利权人 长春理工大学;
申请/专利号CN202110585689.9
发明设计人 于永吉;刘航;金光勇;王宇恒;王超;董渊;
申请日2021-05-27
分类号H01S3/16;H01S3/08;H01S3/11;
代理机构北京智信四方知识产权代理有限公司;
代理人刘真
地址 130022 吉林省长春市卫星路7089号
入库时间 2022-08-23 13:46:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-06-03
授权
发明专利权授予
机译:Nanoporous GaN and Its Application in Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers =氮化镓纳米孔洞及其在垂直腔面发射激光器中的应用
机译:双光楔实现外腔半导体激光器波长精密调谐研究