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无氰电镀金镀液及其应用和电镀制金凸块的方法以及金凸块和电子部件

摘要

本发明涉及半导体金凸块制备领域,公开了无氰电镀金镀液及其应用和电镀制金凸块的方法以及金凸块和电子部件。所述镀液包含:金源、导电盐、缓冲剂、添加剂和有机膦酸,其中,所述添加剂选自含锑化合物和/或含砷化合物。提供的无氰电镀金镀液能够实现在半导体上制备高硬度金凸块,得到的金凸块热处理后仍可保持高硬度(90‑110HV)。该镀液的析出效率高,大于99%,制备的金镀层粗糙度低(小于100nm),纯度高(99.99%)。且获得的金凸块的形状规则。

著录项

  • 公开/公告号CN113832508B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-06-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202111241288.8

  • 发明设计人 王彤;任长友;邓川;刘鹏;

    申请日2021-10-25

  • 分类号C25D3/48;C25D7/12;H01L21/60;H01L23/488;

  • 代理机构北京润平知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘伊南;赵泽丽

  • 地址 518020 广东省深圳市罗湖区笋岗街道笋西社区宝安北路1007号笋岗七号仓七层

  • 入库时间 2022-08-23 13:45:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-03

    授权

    发明专利权授予

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