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铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶、铸造单晶硅

摘要

本发明公开了一种铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶和铸造单晶硅。铸造单晶硅用籽晶的制备方法的步骤为:利用定向凝固方法制备铸造单晶硅锭;将所述铸造单晶硅锭切割成原始籽晶;对所述原始籽晶进行热处理,得到所述籽晶,所述热处理的温度不高于1200℃。通过对铸造单晶硅锭切割的原始籽晶进行热处理,可有效降低原始籽晶的晶体微缺陷,从而得到铸造单晶硅用籽晶,而采用该籽晶得到的铸造单晶硅锭的与采用单晶晶棒切割作为籽晶的铸造单晶硅锭制备成的电池片的效率相当。

著录项

  • 公开/公告号CN112376111B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 新余赛维铸晶技术有限公司;

    申请/专利号CN202011205548.1

  • 申请日2020-11-02

  • 分类号C30B11/14;C30B29/06;C30B33/02;C30B33/06;

  • 代理机构南昌逸辰知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘林艳

  • 地址 338004 江西省新余市高新开发区赛维大道1950号江西赛维LDK太阳能高科技有限公司研发大楼2楼

  • 入库时间 2022-08-23 13:42:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-24

    授权

    发明专利权授予

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