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一种SnO2/MoS2二维大孔复合材料薄膜、制备方法及其应用

摘要

本发明公开了一种SnO2/MoS2二维大孔复合材料薄膜、制备方法及其应用,属于传感器材料制备领域。本发明的制备方法,将PS模板浸泡使得SnCl4·5H2O溶液填充PS微球之间的空隙,之后进行退火,使得PS球气化,形成SnO2大孔薄膜;之后进行水热反应,在保持规则排列的SnO2大孔结构的基础上,引进MoS2纳米片,通过调控,使得PS模板→SnO2大孔薄膜→SnO2/MoS2大孔薄膜。本发明的SnO2/MoS2二维大孔复合材料薄膜,孔状结构有利于气体排出,纳米片的复合使得薄膜比表面积增大,表面活性位点增高,从而使得气敏性能大大提高,气敏性能更加优异,对二氧化氮气体有良好的气敏响应。

著录项

  • 公开/公告号CN113354298B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 桂林电子科技大学;

    申请/专利号CN202110616541.7

  • 发明设计人 戴正飞;赵颖;刘航;李佳磊;

    申请日2021-06-02

  • 分类号C03C17/25;G01N33/00;C01G19/02;C01G39/06;B82Y40/00;B82Y30/00;

  • 代理机构西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人崔方方

  • 地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号花江校区

  • 入库时间 2022-08-23 13:42:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-24

    授权

    发明专利权授予

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