平面VDMOS中overlay偏差效应的解决方法、装置及介质

摘要

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种平面VDMOS中overlay偏差效应的解决方法，包括：在氧化外延衬底上进行分压环制备，并在源区进行光刻及在外延层注入JFET，得到JFET外延衬底，对JFET外延衬底进行栅氧化后，沉积多晶硅层，在多晶硅层上沉积第一绝缘保护层，得到第一硅栅保护衬底，对第一硅栅保护衬底进行硅栅光刻，并制备Pwell区、P+区及N+源区，得到初始栅极保护衬底，在初始栅极保护衬底上的栅极侧面，沉积第二绝缘保护层，得到目标栅极保护衬底，对目标栅极保护衬底上进行合金层制备，得到overlay偏差效应解决晶体管。本发明还提出一种平面VDMOS中overlay偏差效应的解决装置、电子设备以及计算机可读存储介质。本发明可以解决overlay偏差效应及源端与栅极短路的问题。