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DDR型沸石膜的制造方法、DDR型沸石膜以及DDR型沸石膜复合物及其制造方法

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本发明提供DDR型沸石膜，其特征在于：在基质上成膜，膜的主要成分为二氧化硅，同时选自二氧化碳(CO

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公开/公告号CN100506362C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-07-01

原文格式PDF
申请/专利权人日本碍子株式会社;
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申请/专利号CN02822549.X
发明设计人中山邦雄;铃木宪次;吉田学;谷岛健二;富田俊弘;
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申请日2002-09-17
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人庞立志
地址日本爱知县
入库时间 2022-08-23 09:02:41

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-07-01

授权

授权
2005-04-27

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-02-23

公开

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