公开/公告号CN100512123C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-07-08
原文格式PDF
申请/专利权人 四川南山之桥微电子有限公司;
申请/专利号CN200410040052.8
申请日2004-06-23
分类号H04L12/04(20060101);H04L12/24(20060101);H04L12/28(20060101);H04L12/56(20060101);
代理机构51211 成都天嘉专利事务所(普通合伙);
代理人徐丰
地址 611731 四川省成都市高新西区创新中心C241
入库时间 2022-08-23 09:02:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-08-31
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H04L 12/04 授权公告日:20090708 终止日期:20100623 申请日:20040623
专利权的终止
2009-07-08
授权
授权
2007-07-11
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-03-16
公开
公开
机译: 将MPU和DRAM作为辅助高速缓存安装在同一芯片上的半导体器件,可在芯片尺寸限制下轻松实现高速循环时间
机译: 2将MPU和DRAM作为二级缓存存储在同一芯片上的半导体器件,可在芯片尺寸限制下轻松实现高速循环时间
机译: 芯片层压方法,由同一芯片层压的芯片以及用于实现经济层压工艺的芯片制造方法