超材料增强发光效率的蓝光发光二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及超材料增强发光效率的蓝光发光二极管，其包括依次层叠于衬底上的缓冲层、n型GaN层、多重量子阱层、超材料层和p型层，其中，超材料层由双曲超材料单元结构阵列和GaN覆盖层构成，GaN覆盖层与多重量子阱层接触，双曲超材料单元结构阵列由Au和Si层叠而成的双曲超材料单元结构排列而成。由于采用Au和Si按照Thue‑Morse序列交替堆叠构成准周期双曲超材料的独特结构，并且由于准周期双曲超材料结构和量子阱的距离比较近，使得表面等离子激元和多重量子阱之间的耦合效应较强，进而实现蓝光LED的内量子效率的提高。