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一种半导体集成电路设计方法及装置

摘要

本公开提供了一种半导体集成电路设计方法及装置,涉及半导体技术领域,该半导体集成电路设计方法包括基于原始版图,确定栅极结构的端部伸出其所在有源区的原始长度;根据预设规则和原始长度,重新确定栅极结构的端部伸出其所在有源区的修正长度;整合原始版图和修正长度,形成更新版图。本公开能自动定位到版图中待调整的栅极结构,并在满足设计规则检查距离要求条件下,对伸出有源区长度不足的栅极结构拉伸至所允许的最大值,从而有效避免移动版图中原有晶体管的位置,节约项目开发周期。

著录项

  • 公开/公告号CN113392617B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长鑫存储技术有限公司;

    申请/专利号CN202110783796.2

  • 发明设计人 陈川江;赵康;白黎;唐力;

    申请日2021-07-12

  • 分类号G06F30/3953;G06F30/392;G06F115/12;

  • 代理机构北京名华博信知识产权代理有限公司;

  • 代理人朱影

  • 地址 230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

  • 入库时间 2022-08-23 13:29:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-19

    授权

    发明专利权授予

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