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一种TO封装功率半导体器件结构优化设计方法

摘要

本发明涉及功率半导体器件技术领域,公开了一种TO封装功率半导体器件结构优化设计方法,旨在为TO封装功率半导体器件结构优化提供了实用的设计工具。该方法首先定义了待优化功率半导体器件的优化目标、设计变量和约束;其次,建立了有限元分析模型以分析器件中芯片的热应力和翘曲;再次,结合响应面技术,构建了两个结构优化模型,依次优化芯片结构尺寸和位置尺寸。与现有技术相比,该方法依次对芯片结构尺寸和位置尺寸实施优化,能够最小化芯片翘曲并满足热应力、芯片面积约束;步骤清晰,易于理解,可直接用于解决一般TO封装功率半导体器件的结构设计问题,具有良好的易用性和适用性。

著录项

  • 公开/公告号CN113221419B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖南城市学院;

    申请/专利号CN202110531073.3

  • 申请日2021-05-16

  • 分类号G06F30/23(20200101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 413000 湖南省益阳市赫山区迎宾东路518号机电院310

  • 入库时间 2022-08-23 13:26:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-12

    授权

    发明专利权授予

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