公开/公告号CN100495656C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-06-03
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN200510083364.1
申请日2005-07-12
分类号H01L21/3205(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波;侯宇
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 09:02:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-06-03
授权
授权
2007-05-02
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-01-18
公开
公开
机译: 低温形成氮化硅的方法,包括使用该氮化硅形成的晶体纳米点的电荷陷阱存储器件以及该电荷陷阱存储器件的制造方法
机译: 在氧化硅上形成的纳米点及其制造方法
机译: 在氧化硅上形成的纳米点及其制造方法